SEDE／
ソフトプラズマエッチング装置アプリケーション

hBN（窒化ホウ素）をCF₄ガスを使用したプラズマでの処理です。
Si基板上に金電極を付けており、二つの金電極間をhBNでつないだナノ電気機械デバイスを作製します。
しかし、hBNを着ける場所は1μm程度のため、狙って着けることができません。そこで、広くhBNを着け、レジストで保護した後に不要な場所をCF₄プラズマにて処理を行いました。120秒の処理でhBNはプラズマに除去され、レジストで保護された部分のみが残っています。

資料御提供：大阪公立大学工学研究科　電子物理工学分野　ナノデバイス研究グループ　教授　秋田成司　様

AFMのフォースカーブを用いてカンチレバーの先端に付けたシリコンビーズとアルミナ基板の 表面間力を液中で測定した事例です。
アルミナ基板表面に付着したコンタミ物質をクリーニン グする事により、本来の斥力及び引力の測定を行うことが可能になります。

資料御提供：広島大学 工学部 山本 徹也 様

触媒（TiO2）を走査透過電子顕微鏡（STEM）で観察する際に発生するコンタミを除去するため、プラズマエッチング装置の使用が有効ですが、従来のエッチング装置を使用すると、マイクログリッドのカーボン膜が30秒で無くなったり、条件設定がラフで再現性がとれなかったりします。
SEDE ソフトプラズマエッチング装置なら、サンプルによってクリーニング条件を細かく設定で き、ソフトで均一なエッチング処理が出来る為、サンプルに全くコンタミが着かず、カーボン膜 もダメージがありません。特に1nm以下の微小なコンタミだけを除去できます。
安定した均一なプラズマ放電により常に同じ結果が得られ、また最大φ148mmまでのサンプルが処理できる点が非常に有用です。

資料御提供：名古屋大学大学院 工学研究科 電子情報システム専攻 川﨑 忠寛 様

疎水性の高いPMMAをアルゴンガスを用いて6W、30分処理したところ、処理前の接触角56.9°に 対して24.2°まで親水化処理できました。
PMMAの他、PSやガラス、金、PDMS等の基板について親水化処理の実績があります。

水に浮いた超薄片を水面下からすくい上げる際、疎水性のある支持膜の場合、支持膜を切片に近づけると切片が逃げてしまいすくうことが出来ません。疎水性の強いカーボン膜には、親水化が必要です。低出力でプラズマ処理できるSEDEならば、脆いカーボン膜もダメージなく処理することができます。